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Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
10
8
I D = 6A
V DD = 30V
V DD = 40V
V DD = 50V
1000
C iss
6
100
4
C oss
2
0
10
f = 1MHz
V GS = 0V
C rss
0
2
4
6
8
10
12
0.1
1
10
100
Q g , GATE CHARGE(nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
10
T J = 25 o C
25
20
15
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
V GS = 10V
R θ JC = 3 C/W
T J = 125 o C
10
5
Limited by Package
o
1
0.01
0.1
1
10
0
25
50
75
100
125
150
T C , CASE TEMPERATURE ( C )
10
100
t AV , TIME IN AVALANCHE(ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
o
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs Case Temperature
4
V GS = 10V
10
10
10
1
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
100us
1ms
3
2
SINGLE PULSE
R θ JC = 3 o C/W
T C = 25 o C
10
10
10
10
10
0.1
0.05
0.1
R θ JC = 3 o C/W
T C = 25 o C
1 10
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
10ms
100ms
DC
100
300
10
-5
-4
-3 -2
t, PULSE WIDTH (sec)
-1
1
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
Figure 12. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB3502 Rev.C2
4
www.fairchildsemi.com
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